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10W SiC 反激（200kHz，宽压输入）

反激式 Flyback，输出 10W，效率约 74.8%，磁芯 EE13/6/6

规格

输入电压	90 – 264 V
输出电压	12.00 V / 0.83 A
隔离	隔离
状态	未校验

规格参数（引擎输入）

参数	值
name	10W SiC 反激（200kHz，宽压输入）
topology	flyback
vac_min	90
vac_max	264
fline_hz	50
vout_v	12.0
iout_a	0.83
vf_secondary_v	0.4
fsw_hz	200000
d_max	0.45
mode	DCM
krf	0.7
eta_estimate	0.85
material_id	3C95
bmax_t	0.26
ku	0.35
j_amm2	4.0
llk_ratio	0.012
clamp_ratio	1.5
vds_rated_v	650
vds_derating	0.8
vcc_target_v	12.0
ta_c	40.0
core_temp_c	100.0
rth_ca_c_per_w	25.0
tr_ns	10.0
tf_ns	8.0
_note	10W 级：SiC 在这里不是成本最优（引擎会报选型过剩）。放进库是为了覆盖功率区间并给出可比的对比数据；200kHz 是这类小体积适配器的常见选择

设计工具

设计向导：把这份规格直接送进设计引擎，重算一遍并导出全部产物。

可选器件（反查）

引擎只给一个最优解，但实际选型还要看库存、价格、封装与既有料号。下面是库里所有满足要求的候选及其估算损耗。

主开关管 — Vds ≥ 650V，Id ≥ 0.45A（裕量 1.25× / 2×）

器件	估算损耗	相对最优	参数
SIC-650V-30mR 引擎选择 未校验	0.002 W	—	Vds 650V · Id 60.0A · Rds(on) 30mΩ
SIC-1200V-40mR 未校验	0.003 W	+0.001 W	Vds 1200V · Id 60.0A · Rds(on) 40mΩ
SIC-900V-60mR 未校验	0.005 W	+0.002 W	Vds 900V · Id 40.0A · Rds(on) 60mΩ
SIC-1200V-80mR 未校验	0.006 W	+0.004 W	Vds 1200V · Id 30.0A · Rds(on) 80mΩ
SI-SJ-650V-95mR 未校验	0.007 W	+0.005 W	Vds 650V · Id 30.0A · Rds(on) 95mΩ

次级整流管 — Vr ≥ 85V，Iavg ≥ 1.24A（裕量 1.25× / 1.5×）

器件	估算损耗	相对最优	参数
SCHOTTKY-100V 引擎选择 未校验	0.512 W	—	Vr 100V · If 10.0A · Vf 0.55V
SCHOTTKY-100V-30A 未校验	0.520 W	+0.008 W	Vr 100V · If 30.0A · Vf 0.6V
SCHOTTKY-150V 未校验	0.609 W	+0.097 W	Vr 150V · If 10.0A · Vf 0.65V
SCHOTTKY-200V 未校验	0.797 W	+0.285 W	Vr 200V · If 20.0A · Vf 0.9V
SCHOTTKY-250V 未校验	0.891 W	+0.379 W	Vr 250V · If 15.0A · Vf 1.0V

变压器磁芯 — 面积积 Ap ≥ 0.028 cm⁴

器件	估算损耗	相对最优	参数
EE13/6/6 引擎选择 未校验	—	—	Ae 17.1mm² · 窗口 29mm² · Ap 0.050cm⁴
EE16/8/5 未校验	—	—	Ae 19.2mm² · 窗口 40mm² · Ap 0.076cm⁴
EP13 未校验	—	—	Ae 19.3mm² · 窗口 45mm² · Ap 0.086cm⁴
EE19/8/5 未校验	—	—	Ae 22.0mm² · 窗口 52mm² · Ap 0.115cm⁴
EE20/10/6 未校验	—	—	Ae 31.0mm² · 窗口 67mm² · Ap 0.206cm⁴

技术文档

完整设计报告（Markdown）

report