匠芯微电源芯片 · 分立器件

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200W LLC 12V(同步整流中心抽头)

半桥 LLC 谐振,输出 200W,效率约 98.4%,磁芯 PQ2625

200
输出功率 (W)
12.0
输出电压 (V)
98.4
效率 (%)
LLC
拓扑

规格

输入电压 350 – 420 V
输出电压 12.00 V / 16.70 A
隔离 隔离
状态 未校验

规格参数(引擎输入)

参数值
name200W LLC 12V(同步整流中心抽头)
topologyllc
vin_dc_nom_v400.0
vin_dc_min_v350.0
vin_dc_max_v420.0
vout_v12.0
iout_a16.7
vf_secondary_v0.4
rectifiersync_center_tapped
sr_rds_mohm5.0
fr_hz100000
k_ratio5.0
q_factor0.4
material_id3C95
bmax_t0.18
core_loss_limit_mw_cm3150.0
ku0.35
j_amm24.0
core_margin1.2
vds_rated_v600
vds_derating0.8
t_dead_ns300.0
cr_esr_mohm20.0
ta_c40.0
core_temp_c100.0
rth_ca_c_per_w20.0

设计工具

设计向导:把这份规格直接送进设计引擎,重算一遍并导出全部产物。

可选器件(反查)

引擎只给一个最优解,但实际选型还要看库存、价格、封装与既有料号。下面是库里所有满足要求的候选及其估算损耗。

上下管 × 2 — Vds ≥ 551V,Id ≥ 2.11A(裕量 1.25× / 2×)

器件估算损耗 相对最优参数
SIC-650V-30mR 引擎选择 未校验 0.102 W — Vds 650V · Id 60.0A · Rds(on) 30mΩ
SIC-1200V-40mR 未校验 0.136 W +0.034 W Vds 1200V · Id 60.0A · Rds(on) 40mΩ
SIC-900V-60mR 未校验 0.204 W +0.102 W Vds 900V · Id 40.0A · Rds(on) 60mΩ
SIC-1200V-80mR 未校验 0.272 W +0.170 W Vds 1200V · Id 30.0A · Rds(on) 80mΩ
SI-SJ-650V-95mR 未校验 0.323 W +0.221 W Vds 650V · Id 30.0A · Rds(on) 95mΩ

同步整流管 × 2 — Vds ≥ 39V,Id ≥ 26.23A(裕量 1.25× / 2×)

器件估算损耗 相对最优参数
SR-100V-2mR 未校验 0.688 W — Vds 100V · Id 120.0A · Rds(on) 2.0mΩ
SR-150V-5mR 未校验 1.720 W +1.032 W Vds 150V · Id 80.0A · Rds(on) 5.0mΩ
SIC-650V-30mR 引擎选择 未校验 10.322 W +9.634 W Vds 650V · Id 60.0A · Rds(on) 30mΩ
SIC-1200V-40mR 未校验 13.763 W +13.075 W Vds 1200V · Id 60.0A · Rds(on) 40mΩ
SIC-900V-60mR 未校验 20.644 W +19.956 W Vds 900V · Id 40.0A · Rds(on) 60mΩ

变压器磁芯 — 无硬性筛选(该拓扑的磁芯由磁通/窗口约束决定)

器件估算损耗 相对最优参数
EE13/6/6 未校验 — — Ae 17.1mm² · 窗口 29mm² · Ap 0.050cm⁴
EE16/8/5 未校验 — — Ae 19.2mm² · 窗口 40mm² · Ap 0.076cm⁴
EP13 未校验 — — Ae 19.3mm² · 窗口 45mm² · Ap 0.086cm⁴
EE19/8/5 未校验 — — Ae 22.0mm² · 窗口 52mm² · Ap 0.115cm⁴
EE20/10/6 未校验 — — Ae 31.0mm² · 窗口 67mm² · Ap 0.206cm⁴

技术文档

完整设计报告(Markdown) report