← 参考设计

300W SiC LLC（800V 母线 → 48V/6.25A，500kHz）

半桥 LLC 谐振，输出 300W，效率约 96.2%，磁芯 PQ2620

规格

输入电压	700 – 850 V
输出电压	48.00 V / 6.25 A
隔离	隔离
状态	未校验

规格参数（引擎输入）

参数	值
name	300W SiC LLC（800V 母线 → 48V/6.25A，500kHz）
topology	llc
vin_dc_nom_v	800.0
vin_dc_min_v	700.0
vin_dc_max_v	850.0
vout_v	48.0
iout_a	6.25
vf_secondary_v	0.3
fr_hz	500000
k_ratio	6.0
q_factor	0.4
rectifier	sync_center_tapped
material_id	3C95
bmax_t	0.08
ku	0.35
j_amm2	5.0
core_margin	1.25
vds_rated_v	1200
vds_derating	0.8
t_dead_ns	400.0
tf_ns	10.0
cr_esr_mohm	12.0
ta_c	45.0
core_temp_c	110.0
rth_ca_c_per_w	6.0
crossover_frac	0.06
spike_frac	0.1
_note	800V 母线 + 500kHz：SiC 在这里是硬需求（Si 高压器件 Rds 高一个数量级）；bmax 按铁损预算取 0.08T；死区取 300ns 是为了满足 ZVS 换流电荷（80ns 时电荷不足会丢 ZVS）；死区 400ns：80ns 时 ZVS 换流电荷不足（会丢 ZVS 并产生尖峰）

设计工具

设计向导：把这份规格直接送进设计引擎，重算一遍并导出全部产物。

可选器件（反查）

引擎只给一个最优解，但实际选型还要看库存、价格、封装与既有料号。下面是库里所有满足要求的候选及其估算损耗。

上下管 × 2 — Vds ≥ 1116V，Id ≥ 1.57A（裕量 1.25× / 2×）

器件	估算损耗	相对最优	参数
SIC-1200V-40mR 引擎选择 未校验	0.079 W	—	Vds 1200V · Id 60.0A · Rds(on) 40mΩ
SIC-1200V-80mR 未校验	0.157 W	+0.079 W	Vds 1200V · Id 30.0A · Rds(on) 80mΩ
1200V-1500mR 未校验	2.944 W	+2.866 W	Vds 1200V · Id 3.5A · Rds(on) 1500mΩ

同步整流管 × 2 — Vds ≥ 156V，Id ≥ 9.82A（裕量 1.25× / 2×）

器件	估算损耗	相对最优	参数
SIC-650V-30mR 未校验	1.446 W	—	Vds 650V · Id 60.0A · Rds(on) 30mΩ
SIC-1200V-40mR 引擎选择 未校验	1.928 W	+0.482 W	Vds 1200V · Id 60.0A · Rds(on) 40mΩ
SIC-900V-60mR 未校验	2.891 W	+1.446 W	Vds 900V · Id 40.0A · Rds(on) 60mΩ
SIC-1200V-80mR 未校验	3.855 W	+2.410 W	Vds 1200V · Id 30.0A · Rds(on) 80mΩ
SI-SJ-650V-95mR 未校验	4.578 W	+3.132 W	Vds 650V · Id 30.0A · Rds(on) 95mΩ

变压器磁芯 — 无硬性筛选（该拓扑的磁芯由磁通/窗口约束决定）

器件	估算损耗	相对最优	参数
EE13/6/6 未校验	—	—	Ae 17.1mm² · 窗口 29mm² · Ap 0.050cm⁴
EE16/8/5 未校验	—	—	Ae 19.2mm² · 窗口 40mm² · Ap 0.076cm⁴
EP13 未校验	—	—	Ae 19.3mm² · 窗口 45mm² · Ap 0.086cm⁴
EE19/8/5 未校验	—	—	Ae 22.0mm² · 窗口 52mm² · Ap 0.115cm⁴
EE20/10/6 未校验	—	—	Ae 31.0mm² · 窗口 67mm² · Ap 0.206cm⁴

技术文档

完整设计报告（Markdown）

report