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65W SiC 反激（300kHz，USB-PD 级）

反激式 Flyback，输出 65W，效率约 85.4%，磁芯 EE20/10/6

规格

输入电压	90 – 264 V
输出电压	20.00 V / 3.25 A
隔离	隔离
状态	未校验

规格参数（引擎输入）

参数	值
name	65W SiC 反激（300kHz，USB-PD 级）
topology	flyback
vac_min	90
vac_max	264
fline_hz	50
vout_v	20.0
iout_a	3.25
vf_secondary_v	0.5
fsw_hz	300000
d_max	0.45
mode	CCM
krf	0.6
eta_estimate	0.88
material_id	3C95
bmax_t	0.22
ku	0.35
j_amm2	4.5
llk_ratio	0.01
clamp_ratio	1.5
vds_rated_v	650
vds_derating	0.8
vcc_target_v	15.0
ta_c	40.0
core_temp_c	100.0
rth_ca_c_per_w	12.0
tr_ns	10.0
tf_ns	8.0
_note	65W USB-PD：300kHz 下 SiC 的开关速度优势开始显现；磁通上限按铁损预算取 0.22T，不是按饱和取

设计工具

设计向导：把这份规格直接送进设计引擎，重算一遍并导出全部产物。

可选器件（反查）

引擎只给一个最优解，但实际选型还要看库存、价格、封装与既有料号。下面是库里所有满足要求的候选及其估算损耗。

主开关管 — Vds ≥ 650V，Id ≥ 2.27A（裕量 1.25× / 2×）

器件	估算损耗	相对最优	参数
SIC-650V-30mR 引擎选择 未校验	0.059 W	—	Vds 650V · Id 60.0A · Rds(on) 30mΩ
SIC-1200V-40mR 未校验	0.079 W	+0.020 W	Vds 1200V · Id 60.0A · Rds(on) 40mΩ
SIC-900V-60mR 未校验	0.118 W	+0.059 W	Vds 900V · Id 40.0A · Rds(on) 60mΩ
SIC-1200V-80mR 未校验	0.157 W	+0.098 W	Vds 1200V · Id 30.0A · Rds(on) 80mΩ
SI-SJ-650V-95mR 未校验	0.187 W	+0.128 W	Vds 650V · Id 30.0A · Rds(on) 95mΩ

次级整流管 — Vr ≥ 136V，Iavg ≥ 4.88A（裕量 1.25× / 1.5×）

器件	估算损耗	相对最优	参数
SCHOTTKY-150V 引擎选择 未校验	2.778 W	—	Vr 150V · If 10.0A · Vf 0.65V
SCHOTTKY-200V 未校验	3.404 W	+0.626 W	Vr 200V · If 20.0A · Vf 0.9V
SCHOTTKY-250V 未校验	3.835 W	+1.058 W	Vr 250V · If 15.0A · Vf 1.0V
SIC-650V-20A 未校验	5.644 W	+2.866 W	Vr 650V · If 20.0A · Vf 1.45V
ULTRAFAST-600V 未校验	5.821 W	+3.044 W	Vr 600V · If 8.0A · Vf 1.3V

变压器磁芯 — 面积积 Ap ≥ 0.169 cm⁴

器件	估算损耗	相对最优	参数
EE20/10/6 引擎选择 未校验	—	—	Ae 31.0mm² · 窗口 67mm² · Ap 0.206cm⁴
EP17 未校验	—	—	Ae 33.6mm² · 窗口 75mm² · Ap 0.252cm⁴
EE22/15/7 未校验	—	—	Ae 41.0mm² · 窗口 84mm² · Ap 0.344cm⁴
RM8 未校验	—	—	Ae 64.0mm² · 窗口 78mm² · Ap 0.500cm⁴
EE25/13/7 未校验	—	—	Ae 52.0mm² · 窗口 109mm² · Ap 0.566cm⁴

技术文档

完整设计报告（Markdown）

report