SiC 适用性地图：10W 到 1kW，SiC 在哪里才划算

怎么做的

每个网格点用同一份设计模板，分别用 仅 Si / 仅 SiC / 全库 跑一遍引擎，比总损耗与结温。

变体之间唯一的差别是「手上有哪些器件」，公式与判据完全一致。

结论

• 10~100 W：SiC 的收益是「零点几瓦」量级（约 0.7 W）。相对占比看着不小，

绝对量很小——决定选型的是器件成本，而工具里没有成本模型，所以我们同时报出「器件被过规格多少倍」

• ≥400 V 母线且 ≥300 kHz：Si 方案开始「不是差一点，而是做不出来」（结温 170 °C 起）
• ≥800 V 母线：Si 高压器件 Rds 高一个数量级 + 二极管反向恢复，差距几十瓦、结温直接失控