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产品选型
电源管理芯片 · 半导体分立器件 · 一站式电源方案
| 器件 | 类别 | 额定 | 关键参数 | |
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150V 肖特基整流二极管（示例）
dio-schottky-150v
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二极管 | 150 V | Vf 0.65V · schottky | 未校验 |
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200V 肖特基整流二极管（示例）
dio-schottky-200v
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二极管 | 200 V | Vf 0.9V · schottky | 未校验 |
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250V 肖特基整流二极管（示例）
dio-schottky-250v
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二极管 | 250 V | Vf 1.0V · schottky | 未校验 |
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600V 超快恢复二极管（示例）
dio-ultrafast-600v
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二极管 | 600 V | Vf 1.3V · ultrafast | 未校验 |
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650V SiC 肖特基二极管（示例，高压输出）
dio-sic-650v
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二极管 | 650 V | Vf 1.5V · sic | 未校验 |
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1200V 10A SiC 肖特基（种子数据）
dio-sic-1200v-10a
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二极管 | 1200 V | Vf 1.5V · sic | 未校验 |
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1200V 20A SiC 肖特基（种子数据）
dio-sic-1200v-20a
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二极管 | 1200 V | Vf 1.6V · sic | 未校验 |
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650V 20A SiC 肖特基（种子数据）
dio-sic-650v-20a
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二极管 | 650 V | Vf 1.45V · sic | 未校验 |
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100V 30A 肖特基（同步整流备用，种子数据）
dio-schottky-100v-30a
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二极管 | 100 V | Vf 0.6V · schottky | 未校验 |
| 磁材 | Bsat 320mT · μi 2300 · 参考损耗 100mW/cm³ @100kHz/100mT | 未校验 | ||
| 磁材 | Bsat 330mT · μi 3000 · 参考损耗 65mW/cm³ @100kHz/100mT | 未校验 | ||
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TDK/EPCOS N87（低损耗功率 MnZn）
mat-n87
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磁材 | Bsat 320mT · μi 2200 · 参考损耗 90mW/cm³ @100kHz/100mT | 未校验 | |
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TDK/EPCOS N97（低损耗、高频偏置好）
mat-n97
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磁材 | Bsat 320mT · μi 2300 · 参考损耗 60mW/cm³ @100kHz/100mT | 未校验 | |
| 磁材 | Bsat 300mT · μi 1800 · 参考损耗 80mW/cm³ @500kHz/50mT | 未校验 | ||
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TDK PC50 / Ferroxcube 3F4 级（超高频、低损耗）
mat-pc50
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磁材 | Bsat 280mT · μi 1400 · 参考损耗 50mW/cm³ @500kHz/50mT | 未校验 | |
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Ferroxcube 3C81 级（高居里温度，适合高温环境）
mat-3c81
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磁材 | Bsat 340mT · μi 2400 · 参考损耗 80mW/cm³ @100kHz/100mT | 未校验 | |
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PC817 线性光耦
opto-pc817
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光耦 | 35 V | CTR 0.5~6.0 · Vf 1.2V | 未校验 |
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LTV-817 线性光耦
opto-ltv-817
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光耦 | 35 V | CTR 0.5~6.0 · Vf 1.2V | 未校验 |
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600V 190mΩ 超结 MOSFET（示例）
fet-600v-190mr
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功率开关管 | 600 V | Rds(on) 190mΩ @25°C · TO-220 | 未校验 |
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650V 280mΩ 超结 MOSFET（示例）
fet-650v-280mr
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功率开关管 | 650 V | Rds(on) 280mΩ @25°C · TO-220F | 未校验 |
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700V 380mΩ 高压 MOSFET（示例）
fet-700v-380mr
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功率开关管 | 700 V | Rds(on) 380mΩ @25°C · TO-220F | 未校验 |
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800V 450mΩ 高压 MOSFET（示例，宽压输入）
fet-800v-450mr
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功率开关管 | 800 V | Rds(on) 450mΩ @25°C · TO-220F | 未校验 |
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900V 600mΩ 高压 MOSFET（示例）
fet-900v-600mr
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功率开关管 | 900 V | Rds(on) 600mΩ @25°C · TO-220F | 未校验 |
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1000V 900mΩ 高压 MOSFET（示例，正激宽压常用）
fet-1000v-900mr
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功率开关管 | 1000 V | Rds(on) 900mΩ @25°C · TO-220F | 未校验 |
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1200V 1.5Ω 高压 MOSFET（示例）
fet-1200v-1500mr
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功率开关管 | 1200 V | Rds(on) 1500mΩ @25°C · TO-220F | 未校验 |
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1200V 80mΩ SiC MOSFET（种子数据）
fet-sic-1200v-80mr
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功率开关管 | 1200 V | Rds(on) 80mΩ @25°C · TO-247-4 | 未校验 |
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1200V 40mΩ SiC MOSFET（种子数据）
fet-sic-1200v-40mr
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功率开关管 | 1200 V | Rds(on) 40mΩ @25°C · TO-247-4 | 未校验 |
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650V 30mΩ SiC MOSFET（种子数据）
fet-sic-650v-30mr
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功率开关管 | 650 V | Rds(on) 30mΩ @25°C · TO-247-4 | 未校验 |
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900V 60mΩ SiC MOSFET（种子数据）
fet-sic-900v-60mr
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功率开关管 | 900 V | Rds(on) 60mΩ @25°C · TO-247-4 | 未校验 |
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650V 95mΩ 超结 MOSFET（Si 对照用，种子数据）
fet-si-sj-650v-95mr
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功率开关管 | 650 V | Rds(on) 95mΩ @25°C · TO-247 | 未校验 |